中心波長：BATOP SESAM可提供多種中心波長的選擇，常見的如800nm、940nm、1064nm、1550nm等，覆蓋了從可見光到近紅外的范圍，以滿足不同應用場景對特定波長激光的需求。

　　飽和吸收率：不同型號的SESAM具有不同的飽和吸收率，例如可能有1%、2%、5%等多種選擇。飽和吸收率決定了SESAM對光強的敏感程度以及在達到飽和狀態(tài)時能夠透過的光量，對于實現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模和控制脈沖特性至關重要。

　　調制深度：反映了SESAM對光脈沖的調制能力，調制深度越大，越能有效地對光脈沖進行整形和壓縮，從而獲得更窄的脈沖寬度和更高的峰值功率。

　　高反射帶寬：決定了SESAM能夠反射的光譜范圍，較寬的高反射帶寬可以支持更寬譜寬的激光，有助于產(chǎn)生更短的超短脈沖。

　　馳豫時間：半導體的吸收一般有兩個特征馳豫時間，帶內熱平衡（intrabandthermalization）馳豫時間和帶間躍遷（interbandtransition）馳豫時間。帶內熱平衡馳豫時間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷馳豫時間則相對較長，從幾ps到幾百ps。這兩個馳豫時間對于SESAM的鎖模性能和脈沖特性有著重要影響，例如帶間躍遷馳豫時間主要取決于半導體生長時襯底的溫度，生長時的溫度越低，帶間躍遷馳豫時間越短。

　　恢復時間：指的是SESAM從飽和狀態(tài)恢復到非飽和狀態(tài)所需的時間，較短的恢復時間有利于SESAM在高重復頻率的激光系統(tǒng)中快速響應，實現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模。

　　損傷閾值：表示SESAM能夠承受的最大光強，超過該閾值可能會導致SESAM損壞。在實際應用中，需要根據(jù)激光系統(tǒng)的功率來選擇具有合適損傷閾值的SESAM，以確保其長期穩(wěn)定工作。

　　能量飽和密度：反映了SESAM在單位面積上能夠吸收的最大能量，與飽和吸收率和損傷閾值等參數(shù)相關，對于高能量激光系統(tǒng)的設計和應用具有重要意義。